Calore ad alta precisione per IR dei wafer

Mon, 29 Jun 2026 07:22:50 +0800

Nelle linee di produzione, si impara rapidamente che anche un cambiamento di soli 0,5°C nella temperatura di cottura del fotoresta può causare variazioni nelle dimensioni critiche dell’oggetto da lavorare, in termini di nanometri. Il riscaldamento dei wafer mediante radiazioni IR deve quindi garantire profili termici ripetibili, ciclo dopo ciclo, senza che vengano introdotte particelle nel processo o che diminuisca il tempo di funzionamento dell’impianto.

Ciò che è importante Utilizziamo moduli di riscaldamento a radiazioni IR dotati di emettitori a onde corte e con controllo a circuito chiuso; in questo modo si riesce a mantenere una uniformità della temperatura su tutta la superficie del wafer entro i ±0,1°C. La risposta del sistema è istantanea, quindi i parametri termici rimangono stabili e le caratteristiche dell’oggetto da lavorare non cambiano. I moduli sono adatti per essere utilizzati in ambienti a classe 1–100, grazie all’uso di materiali con bassa emissione di gas e a una struttura progettata per ridurre al minimo la generazione di particelle. L’intensità di riscaldamento rimane stabile per oltre 5.000 ore, con una variazione inferiore al 5%.

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Calore ad alta precisione per IR dei wafer