Wafers on Industrial IR Heating Solutions

Wafer IR için yüksek hassasiyetli ısıtma

Mon, 29 Jun 2026 07:22:50 +0800

Üretim alanında, fotoresistin pişirilme sıcaklığında meydana gelen 0,5°C’lik bir değişikliğin bile kritik boyutları nanometreler ölçeğinde etkileyebileceğini hızla öğrenirsiniz. Wafer’in IR ile ısıtılması sırasında, her dönüşte tekrarlanabilir termal profiller elde edilmelidir; ayrıca bu işlem sırasında parçacıkların ortama karışmaması ve üretimin aksaması da engellenmelidir.

Önemli olan noktalar
Wafer’leri ısıtmak için kısa dalga boylu halojen vericiler kullanılır ve kapalı döngülü kontrol sistemleri sayesinde wafer üzerindeki sıcaklık uniformitesi ±0,1°C civarında korunur. Tepki süresi saniyenin altındadır; böylece termal profil stabil kalır ve reçete parametreleri değişmez. Cihaz, düşük gaz salınımı sağlayan malzemeler ve parçacık oluşumunu azaltacak tasarımlar sayesinde Class 1–100 standartlarına uygun şekilde üretilmiştir. Çıkış gücü 5.000 saatten fazla süre boyunca sabit kalır ve yoğunluk değişimi %5’in altındadır.

Wafer yanma testi ısıtma lambası

Sat, 27 Jun 2026 05:08:44 +0800

Üretim alanında, kalıplama veya fotoresistin pişirilmesi sırasında meydana gelen sıcaklık değişimleri hızla kendini gösterir; bu da çizgi genişliklerinde sapmaların ve verimlilikte düşüşlerin olmasına neden olur. Eğer yumuşak ve sert pişirme işlemleri kontrolsüz bir şekilde gerçekleşirse, aşındırma işleminden sonra kalıntılar oluşur ve parametrik hatalar artar. Biz de bu tür değişkenlikleri ortadan kaldırmak için özel bir ısıtma sistemi geliştirdik.

Bu sistemin merkezinde, kuvars kabuğu içinde bulunan kısa dalga boylu kızılötesi halojen lambası yer alır. Bu lamba, saniyeler içinde hızlı ve yerel ısıtma sağlayacak şekilde ayarlanmıştır. Pişirme bölgesindeki waferlerdeki sıcaklık sabitliği ±0,1°C arasında kalır; böylece fotoresist her seferinde aynı sıcaklık koşullarını elde eder. Class 1–100 temiz odalarda, montaj işlemleri hiçbir parça oluşmadan gerçekleşir; böylece maske, lens ve Wafer yüzeyleri temiz kalır.