<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom">
	<channel>
		<title>Віфлеєм on Industrial IR Heating Solutions</title>
		<link>http://industrial-heating-ir.com/uk/tags/%D0%B2%D1%96%D1%84%D0%BB%D0%B5%D1%94%D0%BC/</link>
		<description>Recent content in Віфлеєм on Industrial IR Heating Solutions</description>
		<generator>Hugo</generator>
		<language>uk</language>
		
		
		
		
			<lastBuildDate>Mon, 29 Jun 2026 07:22:51 +0800</lastBuildDate>
		
			<atom:link href="http://industrial-heating-ir.com/uk/tags/%D0%B2%D1%96%D1%84%D0%BB%D0%B5%D1%94%D0%BC/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml" />
			<item>
				<title>Високоточне нагрівання для ІЧ процесів з використанням пластинок</title>
				<link>http://industrial-heating-ir.com/uk/posts/high-precision-heat-for-wafer-ir/</link>
				<pubDate>Mon, 29 Jun 2026 07:22:51 +0800</pubDate>
				<guid>http://industrial-heating-ir.com/uk/posts/high-precision-heat-for-wafer-ir/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://industrial-heating-ir.com/images/594cd14ba0fdce93f512a6ddf4ebf45d.png&#34; alt=&#34;Високоточне нагрівання для ІЧ процесів з використанням пластинок&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;На виробничій лінії швидко розумієш, що навіть зміна температури нагрівання фоторезисту на 0,5°C може призвести до зміни критичного розміру на кілька нанометрів. Процес нагрівання пластини за допомогою ІЧ-системи мусить забезпечувати стабільні теплові параметри з кожною процедурою, без утворення частинок чи зниження продуктивності обладнання.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;&lt;strong&gt;Що є важливим у цьому процесі&lt;/strong&gt;&lt;br&gt;&#xA;Ми використовуємо модулі нагрівання з короткочастотними галогеновими емітерами та системою контролю з замкнутим контуром. Це дозволяє підтримувати однорідність температури на поверхні пластини на рівні ±0,1°C протягом усього процесу нагрівання. Час реакції системи становить менше секунди, тож теплові параметри залишаються стабільними. Конструкція модуля підходить для використання в чистих приміщеннях класу 1–100; використовуються матеріали з низьким рівнем випаровування, а також конструкція, яка запобігає утворенню частинок. Сила випромінювання залишається стабільною протягом понад 5 000 годин, з допуском зміни не більше 5%.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
			<item>
				<title>Нагрівач типу CSP на рівні ваферу (Chip Scale Package)</title>
				<link>http://industrial-heating-ir.com/uk/posts/wafer-level-csp-chip-scale-package-heater/</link>
				<pubDate>Thu, 18 Jun 2026 04:34:37 +0800</pubDate>
				<guid>http://industrial-heating-ir.com/uk/posts/wafer-level-csp-chip-scale-package-heater/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://industrial-heating-ir.com/images/e359da41a435291bc4b653b358552252.png&#34; alt=&#34;Нагрівач типу CSP на рівні ваферу (Chip Scale Package)&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;На виробничій лінії температурні перепади не є допустимими – це пряма перешкода для правильної роботи обладнання. Навіть незначне зміщення температури може порушити параметри фотогрунту, а нерівномірне висихання матеріалів призводить до деформації продукції та зниження її якості. Технологія CSP на рівні пластини може ефективно функціонувати лише за умови стабільного контролю температури; вона має залишатися на незмінному рівні на кожному етапі процесу.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Ось що є важливим у цьому процесі. Ми створили інфрачервоний нагрівач для технології CSP, який використовує короткохвильові джерела світла, налаштовані так, щоб вони впливали саме на ті частини фотогрунту та полімерних діелектриків, які їх поглинають. Енергія потрапляє безпосередньо в шар матеріалу, що дозволяє мінімізувати накопичення тепла в основному матеріалі. У активній зоні однорідність температури становить ±0,1°C, а повторюваність значень – до 0,2°C протягом 24 годин.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
	</channel>
</rss>
