Trên sàn chế tạo, sự trôi nhiệt độ phơi khô wafer thể hiện rất nhanh—ngay trong hồ sơ photoresist. Bạn có thể nhìn thấy điều này qua hiện tượng T-topping sau bước phát triển, và hiện tượng kiểm soát chiều rộng đường mạch bị lệch sau khi ăn mòn. Chúng tôi đã thiết kế một bóng đèn sấy có chi phí thấp nhằm loại bỏ sự trôi nhiệt trong phương trình.
Điểm quan trọng về mặt kỹ thuật
Bóng đèn này sử dụng tia hồng ngoại bước sóng ngắn để đạt được gia nhiệt nhanh, khu vực tập trung, với thời gian đáp ứng dưới một giây. Nó nhắm đến các bước soft bake và hard bake, duy trì độ lặp lại điểm đặt trong phạm vi ±0.1℃ trên toàn bộ wafer. Điều này giúp giữ đồng đều các kích thước quan trọng mà không vượt quá giới hạn nhiệt của photoresist.
Sợi bóng và vỏ thạch anh được thiết kế phù hợp cho môi trường phòng sạch Class 1–100, và chúng tôi đã xác minh không phát sinh hạt bụi thông qua giám sát tại chỗ. Công suất phát ra ổn định trên 5.000+ giờ hoạt động, với độ suy giảm cường độ dưới 5%.
Lý do hoạt động hiệu quả trong các cell lithography thực tế
Bóng đèn có thể lắp trực tiếp vào các hệ thống coat/bake hiện có—không cần hiệu chuẩn lại toàn bộ lò. Tốc độ tăng nhiệt nhanh giúp rút ngắn thời gian nung, từ đó giảm chu kỳ sản xuất trong khi vẫn đảm bảo profile hard bake đủ chặt chẽ để đạt dung sai trong quá trình ăn mòn và cấy ion.
Tiêu thụ năng lượng thấp hơn so với hệ thống nung toàn buồng, và khi cần thay thế, việc này được thực hiện tại hiện trường một cách đơn giản. Không cần phải hiệu chuẩn lại toàn bộ hệ thống nhiệt. Kết quả là kiểm soát quy trình khả dự đoán, giảm phế phẩm và ít phải dừng máy ngoài kế hoạch.
Những lưu ý cần nhớ
Bóng đèn phù hợp với các chân đế và đầu nối chuẩn, nhưng cần kiểm tra kỹ hình học phản xạ và kích thước khe hở trên máy phủ hoặc máy sấy của bạn. Cường độ phát ra được điều chỉnh cho việc sấy wafer và nung photoresist—không thể thay thế trực tiếp cho nguồn nung nhiệt độ cao như anneal.
Giữ sạch bề mặt quartz tránh các cặn bẩn, và đảm bảo lưu lượng khí trong phòng sạch không tạo ra các gradient nhiệt trên bề mặt wafer.